许愿 1魏士钦 1张鹏飞 1王瑶 1[ ... ]刘玉怀 1,2,3,4,**
作者单位
摘要
1 郑州大学信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心,河南 郑州 450001
2 郑州大学传感器研究院,河南 郑州 450001
3 郑州唯独电子科技有限公司,河南 郑州 450001
4 郑州大学产业技术研究院有限公司,河南 郑州 450001
本文提出利用双凹波导层来改善深紫外(DUV)激光二极管(LDs)的辐射复合特性。利用Crosslight软件对四种不同的波导层结构进行了仿真研究。结果表明,双凹下波导层的引入提高了空穴的有效势垒高度,有效地抑制了空穴从多量子阱(MQW)区的泄漏,增加了MQW区载流子的浓度。优化后的结构辐射复合率显著提升,具有更好的P-I特性和光学约束因子,为提高DUV LDs的性能提供了一个有效的解决方案。
激光器与激光光学 深紫外激光二极管 AlGaN 上波导层 下波导层 辐射复合速率 
激光与光电子学进展
2023, 60(15): 1514007
作者单位
摘要
上海大学物理系上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室,上海 200444
采用湿法化学氧化和直流磁控溅射制备了超薄氧化硅(a-SiOx)和高电子浓度的氮化钛(TiN)复合薄膜,研究其对半导体-准绝缘体-半导体(SQIS)光伏器件中晶硅表面的钝化作用。实验结果表明:相对于铝背场电极,该光伏器件的光电转换效率相对提高了20.72%。结合少子寿命测量和AFORS-HET模拟软件分析,揭示了开路电压增加的原因。a-SiOx/TiN与n-Si有2.28 eV的价带偏移,可以减缓空穴在背部界面的复合,使复合速率降为原先的1/10,从而有效增加开路电压,达到提高异质结器件光电转换效率的目的,为SQIS光伏器件提供了一种工艺简单、制备成本低的背部钝化接触复合材料。
太阳能电池 钝化层 复合速率 异质结 空穴阻挡 超薄氧化硅/氮化钛 
光学学报
2022, 42(13): 1331002
作者单位
摘要
1 上海太阳能电池研究与发展中心, 上海 201201
2 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083
Cd1-xZnxTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV ? 2.26eV 间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光吸收层,可以在近背表面的薄层内产生一个准电场。该电 场不仅能将俄歇复合发生的位置有效局域化,而且还可降低由表面复合引起的载流子损耗,增强光生载流子的收集效率,进而提 高电池的光电转换效率。用渐变带隙Cd1-xZnxTe多晶薄膜替代了传统CdTe薄膜太阳电池中的均匀相CdTe 光吸收层,并用AMPS软件模拟分析了渐变带隙Cd1-xZnxTe太阳电池的光电响应特性。经计算,该电池在理想 情况下(无界面态、有背面场,正背面反射率分别为0和1)的光电转换效率高达41%。
渐变带隙 太阳电池 复合速率 光电转换效率 graded band-gap solar cell recombination rate photoelectric conversion efficiency 
红外
2010, 31(10): 12
作者单位
摘要
兰州大学 物理科学与技术学院,兰州 730000
以载流子运动的扩散-漂移理论为基础,利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合率分布.结果表明:当两种载流子的迁移率相同实现平衡注入,并且当空穴和电子的复合为Langevin型时,复合率的分布曲线相当理想,参与复合的空穴和电子总量远大于其他情况,由此器件的发光性能也得到更大的优化.
有机电致发光 迁移率 载流子分布 复合率 Organic electroluminescence Mobility Carrier distribution Recombination rate 
光子学报
2009, 38(7): 1637
作者单位
摘要
河南师范大学 物理与信息工程学院,河南 新乡 453007
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。
量子点 激子结合能 带间光跃迁能 电子-空穴复合率 coupled quantum dots exciton binding energy transition energy recombination rate 
液晶与显示
2009, 24(3): 340
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室, 上海 201800
通过对飞秒激光在空气中产生的等离子体通道两端外加高压,来研究通道的寿命变化情况。实验得到,当在等离子体通道两端外加高压时(350 kV/m),等离子体通道寿命延长了近3倍。理论模拟和分析结果表明在外加电场条件下,碰撞电离得到增强,吸附作用相对减弱,解离复合系数随着电子平均能量的增加而下降的趋势更为剧烈,这进一步引起了等离子体通道寿命的延长。实验结果与理论分析共同表明了利用外加电场对空气中激光等离子体通道寿命进行延长的可行性。
等离子体 延长寿命 外加高压电场 解离复合率 
光学学报
2007, 27(6): 1059
作者单位
摘要
1 College of Physics Science and Technology, Central South University, Changsha 410083, CHN
2 Department of Applied Physics, Hunan University, Changsha 410082, CHN
Organic electroluminescence device Mobility Injection barrier Recombination rate 
半导体光子学与技术
2006, 12(2): 85
作者单位
摘要
四川大学原子与分子物理所,成都610065
基于准相对论Hatree-Fock理论,采用Cowan程序详细计算了Co-1ike Au52+离子的双电子复合速率系数、自电离几率以及自电离能级。计算结果表明:由于径向波函数的穿透效应使得该离子自电离能级3d184ι5s(ι=s、p、d、f)升高,造成能级间隔不随外层激发电子轨道角动量的增加单调减小的异常现象,即△(E3d184ι5s-E33d184ι5p)>△(E33d184ι5p-E3d184ι5s)>△(E3d184ι5f-E3d184ι5d);双激发自电离态平均自电离几率具有特定的变化关系;双电子复合速率系数随着电子温度逐渐增加具有共振、高温收敛等特点,且双激发态轨道角动量大且宇称为奇的通道复合速率系数较大,其中辐射衰变通道为3d184fnd-3d9nd的复合过程占优势,在Tc=0.49Kev时共振峰αDR=1.01×10 -11(cm3Sec-1)。
Co-1ike金离子 自电离几率 双电子复合速率系数 Co-like ion Autoionization rate Dielectronic recombination rate 
原子与分子物理学报
2004, 21(2): 309
作者单位
摘要
中国科学院高能物理研究所宇宙线与天体物理开放实验室,北京,100039,肇庆学院,广东,肇庆,526061
计算表明在太阳核心从R=0至R=0.125R⊙之间,存在三价铍7离子数几乎为零.重新计算的铍7太阳中微子和硼8太阳中微子流量要比标准太阳模型分别降低1.2倍和增加1.2倍.
铍7的K壳层电子 复合截面 复合速率系数 铍7太阳中微子 硼8太阳中微子 Be with K-shell electron Recombination section cross Recombination rate coefficient 7Be neutrino 8B neutrino 
原子与分子物理学报
2002, 19(1): 112

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