中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083
采用液相外延方法在InAs衬底上制备了InAs0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000～6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下InAs衬底和InAs0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定InAs0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 eV.
液相外延 铟砷锑薄膜 红外椭偏 光学性质 liquid phase epitaxy InAs0.94Sb0.06 film infrared spectroscopic ellipsometry optical property
