1 宁波大学高等技术研究院红外材料及器件实验室, 浙江 宁波 315211
2 浙江省光电探测材料及器件重点实验室, 浙江 宁波 310027
采用自制的As2Se3玻璃棒,制备了具有不同厚度、背面粗糙度和表面光洁度的样品,借助红外光谱椭偏仪测试了样品折射率,通过光学模型拟合得到了其折射率参数。对比分析了厚度、背面粗糙度和表面光洁度对样品折射率的影响。结果表明:样品厚度、背面粗糙度和表面光洁度都会明显影响椭偏仪的测量精度,其中表面光洁度是关键因素。样品厚度应控制在1~3 mm,同时增大样品背面粗糙度和样品表面光洁度,可显著提高椭偏仪的测试精度。
测量 折射率 准确性 红外椭偏仪 As2Se3硫系玻璃
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083
采用液相外延方法在InAs衬底上制备了InAs0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000～6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下InAs衬底和InAs0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定InAs0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 eV.
液相外延 铟砷锑薄膜 红外椭偏 光学性质 liquid phase epitaxy InAs0.94Sb0.06 film infrared spectroscopic ellipsometry optical property
1 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系， 上海 200072
2 上海联孚新能源科技有限公司， 上海 201201
3 上海西域机电系统有限公司， 上海 200137
椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件，用红外 椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量，并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石 薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变，衬底温度为750℃，反应室的压强为4.0kPa时，金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最 佳，其折射率的平均值为2.393。研究结果表明，金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关，同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺 条件。
红外椭偏 光学性能 折射率 金刚石薄膜 infrared spectroscopic ellipsometry optical properties refractive index diamond thin films
1 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
2 山东大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250100
3 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
利用红外椭偏光谱法(IRSE)对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究.通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率.将得到的电学参数同霍耳测量结果进行了比较.
氮化镓 红外椭偏光谱 折射率 载流子浓度 迁移率 GaN Infrared spectroscopic ellipsometry（IRSE） Refractive index Cartier concentration Electron mobility
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
用红外椭圆偏振光谱测量了室温下Hg1-xCdxTe(x=0.276,0.309,0.378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率.对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应.折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度.禁带宽度之上折射率随波长λ变化可用Sellmeier色散关系n2(λ)=a1+a2/λ2+a3/λ4+a4/λ6进行拟合.
红外椭偏光谱 折射率 infrared spectroscopic ellipsometry refractive index Hg1-xCdxTe. Hg1-xCdxTe.
