1 湖北工业大学 太阳能高效利用湖北省协同创新中心, 湖北 武汉 430068
2 湖北工业大学 电气与电子工程学院, 湖北 武汉 430068
3 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室, 安徽 合肥 230026
4 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi2Se3和Bi2(TexSe1-x)3 纳米线, 研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi2(TexSe1-x)3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明, Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合, 得到了电子的退相干长度lφ , lφ 从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm, 遵循lφ∝T-0.96指数变化规律.分析表明, 在Te掺杂样品的输运过程中, 电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.
拓扑绝缘体 Bi2Se3纳米线 反弱局域 退相干长度 topological insulator Bi2Se3 nanowires weak antilocalization dephasing length
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083
采用液相外延方法在InAs衬底上制备了InAs0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000～6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下InAs衬底和InAs0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定InAs0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 eV.
液相外延 铟砷锑薄膜 红外椭偏 光学性质 liquid phase epitaxy InAs0.94Sb0.06 film infrared spectroscopic ellipsometry optical property
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
研究了非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质，所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的反弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度θ的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性的特征，这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。
二维电子气 InGaAs/InAlAs量子阱 零场自旋分裂能 g因子 two-dimensional electron system InGaAs/InAlAs quatum well zero-field spin splitting g-factor 红外与毫米波学报
2015, 34(6): 0688
中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
利用溶胶-凝胶法, 由添加高分子聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的化学溶液制备了锆钛酸铅(PbZr0.4Ti0.6O3, PZT)多层膜, 研究了溶液中聚合物PVP的含量对多层膜光学性能的影响．测试表明, PZT多层膜呈现出由致密层和多孔层交替排布的层状结构, 在可见光区具有单一的高反射率带, 且反射带中心波长在一定范围内随着溶液中PVP浓度的升高向长波方向移动．在PVP的相对摩尔比为x=1.0时, 多层膜反射性能达到最优, 室温绝对反射率高达89%, 反射带宽为44nm．
凝聚态物理学 光学特性 溶胶-凝胶法 锆钛酸铅多层膜 聚合物 condensed matter physics optical properties sol-gel method PZT multilayers polymer
1 中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海200083
2 中国科学院上海微系统研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海200050
利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、 单边δ掺杂的 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱，根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动，提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|，发现Δ0随浓度增加而增大，|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明，|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.
InGaAs/InAlAs量子阱 零场自旋分裂 塞曼分裂 有效g因子 InGaAs/InAlAs quantum well zero-field spin splitting Zeeman splitting effective g-factor
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 华东师范大学 信息科学技术学院 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200062
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品, 在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线, 得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明, 电子的退相规律符合Nyquist退相机制.
反局域 退相干时间 自旋-轨道耦合 antilocalization phase coherence time spin-orbit interaction
