采用液相外延方法在InAs衬底上制备了InAs0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000～6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下InAs衬底和InAs0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定InAs0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 eV.

椭圆偏振光谱法是一种非破坏性光谱技术。为了获得微波等离子体化学汽相沉积(MPCVD)金刚石薄膜的最佳沉积条件，用红外 椭圆偏振光谱仪对MPCVD金刚石薄膜的红外光学性能进行了表征测量，并分析了衬底温度和反应室的压强对金刚石 薄膜的红外光学性质的影响。当甲烷浓度不变，衬底温度为750℃，反应室的压强为4.0kPa时，金刚石膜的红外椭偏光学性质达到最 佳，其折射率的平均值为2.393。研究结果表明，金刚石薄膜的光学性能与薄膜质量密切相关，同时也获得了最佳的金刚石薄膜工艺 条件。

利用红外椭偏光谱法(IRSE)对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究.通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率.将得到的电学参数同霍耳测量结果进行了比较.

采用化学溶液分解法在n-GaAs(100)衬底上制备了Bi2Ti2O7薄膜.利用红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2.8～12.5μm范围内Bi2Ti2O7薄膜的椭偏光谱,采用Lorentz-Drude色散模型拟合获得Bi2Ti2O7薄膜的红外介电常数,并进一步计算得到折射率n、消光系数k和吸收系数α,拟合计算得到Bi2Ti2O7薄膜的厚度为139.2nm.

用红外椭圆偏振仪对热丝化学气相沉积法制备的金刚石薄膜的光学参量进行了测量。由于表面状态和界面特性的差异,分别对镜面抛光硅片和粗糙氧化铝基片上的金刚石薄膜建立了不同的模型,并在此基础上进行了测试结果的计算拟合。为了综合反应诸如表面粗糙度等表面界面因素对测试结果的影响,根据衬底特性将表面层和界面层分离出来,并采用Bruggeman有效介质方法对它们的影响进行了近似处理。结果表明,硅衬底上金刚石薄膜的椭偏数据在模型引入了厚度为879 nm的表面粗糙层之后能得到很好的拟合。而对于氧化铝衬底上的金刚石薄膜而言,除了在薄膜表面引入了粗糙层之外,还必须在衬底和金刚石界面处加入一层由体积分数为0.641的氧化铝、体积分数为0.2334的金刚石和体积分数为0.1253的空隙组成的复合过渡层(厚度995 nm),才能使计算值与实验参量很好地吻合。

用红外椭圆偏振光谱测量了室温下Hg_1-xCd_xTe(x=0.276,0.309,0.378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率.对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应.折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度.禁带宽度之上折射率随波长λ变化可用Sellmeier色散关系n²(λ)=a₁+a₂/λ₂+a₃/λ₄+a₄/λ₆进行拟合.