1 中国科学院大学 微电子学院, 北京 100029
2 中芯国际集成电路制造有限公司, 天津 300385
提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的共源处增加一道离子注入, 引出衬底电荷, 以优化NLDMOS器件的击穿电压（Vb）与比导通电阻（Rsp）。选择不同的注入离子浓度与快速热退火时间, 研究了器件的Vb与Rsp变化。由于离子激活效率不足, 单纯增加20%的注入离子浓度, 器件的耐压性能提升极小, 采用增加20%注入离子浓度结合延长20s快速热退火时间的方法, NLDMOS器件的Vb提高约2.7%, 同时Rsp仅增加0.9%左右。
击穿电压 比导通电阻 离子注入 快速热退火 NLDMOS NLDMOS breakdown voltage Rsp ion implant RTA
中国电子科技集团公司第五十五研究所, 江苏 南京 210016
作为半导体生产 中的一种重要设备, 快速退火炉需要实现精确、可靠的温度控制。 它通常使用辐射式高温计来检测温度。在使用过程中, 由于诸 多原因, 需要对高温计进行校温。基于某型进口快速退火 炉, 分析了其高温计的校温方法。介绍了热电偶和熔点测 试采样方法, 并采用这两种方法丰富了采样数据。通过 线性计算估算了1000 ～ 1500℃范围内的校温数据; 基于曲线 拟合进行了数据采样, 得到了更加准确的校温结果。通过比 较, 分析了两种校温方法各自的优缺点。结果表明, 线性计算校温法更适 用于1100℃以下的校温; 曲线拟合校温法更适用于1100℃以 上的校温。
高温计 快速退火炉 校温 pyrometer RTA temperature calibration
1 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春130012
2 吉林师范大学 功能材料物理与化学教育部重点实验室, 吉林 四平136000
采用快速热退火对ZnO薄膜进行后处理, 制作了ITO/ZnO/PTB7∶PC71BM/MoO3/Ag结构的倒置聚合物太阳能电池, 器件能量转换效率达到了8.1%, 与传统热退火工艺相比提高了11.26%。通过原子力显微镜、扫描电子显微镜、X光衍射谱、透射光谱和荧光谱对不同退火条件下制备的ZnO薄膜进行表征和分析。结果表明, 经快速热退火处理的ZnO薄膜具有良好的c轴取向结晶特性、较大的晶粒尺寸和表面粗糙度,有效地降低了器件的串联电阻Rs, 增大了器件的短路电流Jsc和填充因子FF。
聚合物太阳能电池 快速热退火 ZnO电子传输层 能量转换效率 polymer solar cell rapid thermal annealing (RTA) electron transporting layer power conversion efficiency (PCE)
1 华东师范大学,信息学院,上海,200241
2 上海大学,分析测试中心,上海,200444
以SnCl2·2H2O及无水乙醇为原料,利用溶胶-凝胶法在快速热退火下制备了SnO2纳米薄膜,研究了快速热退火(RTA)对SnO2薄膜性质的影响.采用X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),研究了薄膜的晶粒尺寸、微结构、表面形貌与快速热退火条件的关联,用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和光致发光研究了薄膜的光学性质.结果表明,快速热退火(RTA)温度对薄膜的光学性质、晶粒尺寸和薄膜的结构形态均有较大的影响.
纳米二氧化锡 溶胶-凝胶法(sol-gel) 快速热退火(RTA)
西安交通大学电子材料研究所,陕西,西安,710049
使用一种新的快速热处理的方法制备出Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,该方法的主要设备为链式热处理炉,它主要分为三部分,即预热带、加热带和冷却带.溶胶的配制采用先通过减压蒸馏的方法得到干凝胶,再将干凝胶溶解在乙二醇甲醚中的方法得到.对干凝胶作了DSC-TG分析;对薄膜作了X-射线衍射分析,结果为纯的钙钛矿结构的晶相;在10kHz时薄膜的相对介电常数为235,介质损耗小于0.02;C-V特性曲线以及P-E电滞回线显示薄膜具有良好的铁电性能.
快速热处理 链式热处理炉 减压蒸馏 钙钛矿结构 RTA caterpillar furnace reduced pressure distillation perovskite structure
